USB快速充电过压保护设计方案

随着科技的发展，电子设备越来越多，其静电保护、浪涌保护也引起了工程师的高度重视.在充电电路提供过压保护方面，在考虑到远高于6 V的电压情形，如静电放电（ESD），其瞬间的应力电压可能高达几千伏甚至十几千伏，这种情形下，可以施加瞬态电压抑制器（TVS）二极管，以此处理瞬变极快的过压故障。TVS二极管就非常适用。例如，在击穿电压为6.2 V时，ESD5Z5.0T1.G能在几纳秒时间内就对符合IEC61000-4-2标准的高达30 kV的输入电压进行钳位，且钳位电压可高达11.6 V，从而为系统中的关键元件提供可靠的ESD保护。

SOD523封装的单向TVS：ESD5Z5.0T1G

SOD323封装的1800W单向TVS:  DC0371D3UH(3V) DC0571D3UH(5V)  DC0771D3UH (7V)

SOD323封装的1800W双向TVS: DC4581D3UH(4.5V) DC0581D3UH (5V)

DFN1610-2L封装的TVS:

DC0371P6 3.3V

DC0571P6  5V

DC0771P6  7V

DC1271P6  12V

DC1571P6  15V

浪涌电流：70-100A (IEC61000-4-5，2欧姆输出阻抗)

工作电压：5-12V (单路单向)

钳位电压：12.5V@90A

峰值功率：1800W

静电等级：±30kV (接触放电)

浪涌等级：200V (不同整机实测数据有差异)·  

DFN系列产品匹配多种应用环境,使用于VBUS/VBAT以及重要器件保护,瞬态功耗可达1800W,低钳位电压VC.